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       鐵電存儲(chǔ)器（鐵電RAM，F(xiàn)eRAM，F(xiàn)-RAM或FRAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其結(jié)構(gòu)類似于DRAM，但使用鐵電層代替電介質(zhì)層來實(shí)現(xiàn)非易失性。 FeRAM是越來越多的替代非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù)之一，提供與閃存相同的功能。
       FeRAM相對(duì)于閃存的優(yōu)勢(shì)包括：更低的功耗，更快的寫入性能以及更高的最大讀/寫耐久性。 FeRAM在+ 85°C時(shí)的數(shù)據(jù)保留時(shí)間超過10年（在較低溫度下可達(dá)數(shù)十年）。